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NXP Semiconductors
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
10 3
P PPM
(W)
10 2
10
006aab320
1.2
P PPM
P PPM(25 ° C)
0.8
0.4
006aab321
1
10 ? 2
10 ? 1
1
10
10 2
10 3
t p (ms)
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
unidirectional and bidirectional
Fig 3.
250
C d
(pF)
Rated peak pulse power as a function of
exponential pulse duration (rectangular
waveform); typical values
006aab839
Fig 4.
150
C d
Relative variation of rated peak pulse power as
a function of junction temperature; typical
values
006aab840
(pF)
200
100
150
(1)
(3)
(2)
(1)
(4)
100
(2)
50
(2)
(3)
(5)
(6)
50
(4)
(3)
0
0
2
4
6
0
5
10
15
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) MMBZ5V6AL: unidirectional
(2) MMBZ5V6AL: bidirectional
(3) MMBZ6V8AL: unidirectional
(4) MMBZ6V8AL: bidirectional
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) MMBZ10VAL: unidirectional
(2) MMBZ10VAL: bidirectional
(3) MMBZ15VAL: unidirectional
(4) MMBZ15VAL: bidirectional
(5) MMBZ27VAL: unidirectional
(6) MMBZ27VAL: bidirectional
V R (V)
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
MMBZXAL_SER_2
voltage; typical values
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 10 December 2009
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